2014年8月21日，德国芯片巨头英飞凌科技公司周三宣布，已同意以大约30亿美元现金收购美国电源管理芯片制造商International Rectifier（简称IR），是该公司有史以来最大一起收购。根据交易条款，英飞凌将为每股IR股票支付40美元。此项交易已获得IR董事会批准，预计将于2014年年底或2015年年初完成。

国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）是全球领先的电源管理技术，数字，模拟和混合信号集成电路，先进电路器件，动力系统和元件。 世界领先的电脑制造商，家电，汽车，消费类电子和防御系统，依靠红外技术，推动其产品的性能和效率。 今天，电源管理技术发挥着越来越重要的作用比以往任何时候都在拯救世界的能源储备减少，而攻坚克难的技术障碍。 

数字，模拟和混合信号集成电路，先进电路器件，功率系统和组件

IR首创并拥有关键专利技术，创造了$ 5亿美元的功率MOSFET行业。

IR完全专注于电源芯片及子系统，IR创造专利产品，增加更多的价值，以客户的最终产品。 

IR的高容量专用晶圆厂将在IR这个行业成本的基准。

IR积极投资在R＆D，IR将生成一个流的高度差异化的产品定位的高增长应用。 

国际整流器公司成立于1947年8月的洛杉矶，制造硒整流器。 IR是其中的第一家商业化锗整流器在1954年，并于1958年第一个推出商业化的齐纳二极管和太阳能电池。 IR的功率半导体技术的“第一”，包括50年的历史：

于1959年第一硅控整流器（SCR）

开发生产业内最稳定的高电压的可控硅在1962年的第一外延生长过程。

空间应用的高可靠性器件第一供应商之一

第一功率晶体管和达林顿晶体管，以在1974年使用玻璃钝化介绍

第一个六角形细胞的功率MOSFET HEXFET踀1979年，注册商标

介绍了世界上第一个智能功率IC的一个叫ChipSwitch踀1983年

功率MOSFET和IGBT产品在1983年发行的第一个专利

于1983年推出了世界上第一台高压电源IC

在1993年世界上第一个SmartFET

世界上第四个掩模MOSFET制造工艺在1996年

世界上第一个MOSFET和肖特基在单一封装中，或在1996年FETKY产品

世界上最高的密度和最低的RDS（on）自对准平面和沟道MOSFET在1999年

FlipFET便携式应用的晶圆级封装在2000年

iPOWIR集成积木在2001年的DC-DC转换器

高性能DC-DC转换器的封装技术的突破，为在2002年的DirectFET，

在2003年的iMOTION集成设计平台变速电机驱动

先进的电路和集成解决方案 

IR最新推出的产品提供更高程度的价值为客户寻求自己的力量设计，以优化性能，同时简化和缩短设计周期。

IR的iMOTION架构为工程师提供了另一种设计平台的高性能数字电机驱动器的设计。 它承诺今天的低功率AC驱动器，高功率工业交流驱动器，高性能伺服应用，以及新兴的航天飞控线和汽车驱动器，by-wire系统的积极影响。

多芯片模块，如iPOWIR - 智能可扩展的积木，简化电源设计和提高性能的最新一代的低电压处理器，在单一和多阶段的拓扑结构。 IR的专门知识，设备配套和“较短的走线布局提供优化的解决方案，结合成一个单一的BGA封装中的多个功率半导体器件，集成电路和无源元件，。

电源管理IC 

由于发展的独特的高电压（600＆1200V），结隔离BCDMOS制造工艺，红外光谱产生一个最有能力的控制线，电平移位，和可在市场上的栅极驱动集成电路。 这些芯片中使用的设计要求一个高电流的栅极驱动器，需要从地面超过几伏的电平移位。 更复杂的IC是正在开发中，其中包括PWM控制，高速数字控制电路和接口电路。 IR也有一个NMOS / CMPS功率的IC为SmartFETs和智能电源开关。 这些组件结合起来的功能的功率MOSFET，具有在单芯片上的模拟和数字电路。 这两项技术已经启用了先进的高密度电源转换器，电机控制器，电子和汽车电子的关键电路，现在市场上的。 IR最近新增的低压差稳压器和开关控制器，其产品线，以满足迅速发展的信息技术设备市场的DC-DC电源管理的需求。

IR HEXFET MOSFET技术 

国际整流器公司率先HEXFET功率MOSFET技术，开发并于1979年推出了第一个六边形拓扑结构的MOSFET。 这些发展被授予广泛的专利仅仅四年之后，自那时起，大多数MOSFET制造商已授权进入这个市场的设计和工艺。

1995年12月，IR推出新一代MOSFET技术，基于先进的四光罩制程，采用创新的自我调整功能，以提高制造精度和增加产量。 使用简化的过程中，该公司生产的MOSFET与低周时间，比要求的六步过程中使用的功率半导体产业的其余部分。 这个过程还允许接面深度％到40％的小于常规工艺，从而大大降低了晶体管的结电阻，同时增加耐用性。 凭借其制造技术，IR完全自对准的制造工艺，具有密度最高的平面结构，提供极低性，优异的高频操作，业界最佳的耐用性和优良的制造与开发，并在1999年推出的条纹平面技术演员和工作周期。

在同一年，IR推出了一系列业界最高的细胞密度和最低的RDS（on）沟道MOSFET。 这一技术被集中用于手机，笔记本电脑和其它便携式电子设备的各种的最新产品。

IR产品表现出最低的MOSFET导通电阻可在市场上，类似的部件在其类别，使功率转换子系统的设计表现出无与伦比的效率。 IR结合国家的最先进的硅技术和创新的封装技术。 IR POWIRTAB，超220谡協甀瀀攀爀-247封装允许20A的每个设备在相同的空间比标准的封装，提高功率密度。 IR的FlipFET封装技术兼容标准的表面贴装焊接技术，提供了一个100％的硅足迹比，在相同的性能作为一个传统的包的3倍那么大的理想解决方案，为便携式设备，如便携式手机或笔记本电脑。 IR的DirectFET封装在一个标准的SO-8通过绘制热量带走，从董事会通过封装顶部的足迹，革命性的热管理。 其结果是，可以增加一倍的DirectFET MOSFET电流密度，热管理成本的同时，减少在高电流的供电电路下一代微处理器的一半。

IGBT

IR生产范围广泛的IGBT（绝缘栅双极晶体管） - 电压控制的功率晶体管用于功率转换系统提供基本的输出功能。 他们已成为首选的输出解决方案，在几乎所有的高电压，高电流，中等频率的应用。 IR的IGBT提供较高的电流密度比同等的高电压功率MOSFET，并具有优异的驱动器和输出特性相比，功率双极晶体管更快。 在1999年，IR推出IGBT功率损耗降低20％，显着改善成本和制造技术“不扩散核武器条约”。 在2001年，家庭扩大到包括600V的设备。

微电子继电器（MERS） 

IR的市场汇率包括两个功能：MOSFET和IGBT为基础的光电继电器和光电隔离器产品线。 前者是理想的固态继电器开关AC和DC负载和感官信号从几个miliamps到几百瓦，工业控制，仪器仪表，周边的电信设备，计算机外围设备和办公设备。 后者可提供单或双通道，光电隔离输出，可用于直接驱动分立功率MOSFET和/或IGBT的门，让设计人员能够灵活的创建自己的，定制的固态继电器能够控制超过1000伏和100安培的负载。