IRF640NSTRRPBF（IR 国际整流器，单端场效应管，D2PAK）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：IRF640NSTRRPBF

制造厂家名称：IR（International Rectifier）已被英飞凌INFINEON收购

描述：MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

系列：HEXFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：200V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：18A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：150 毫欧 @ 11A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：67nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1160pF @ 25V

功率 - 最大值：150W

安装类型：表面贴装

产品封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：D2PAK

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基本参数：

电子零件型号：IRF640NSTRRPBF

原始制造厂商：IR（国际整流器），已被英飞凌INFINEON收购

技术标准参数：MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

产品应用分类：单端场效应管

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