IRFH5302TR2PBF（IR 国际整流器，单端场效应管，PQFN）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：IRFH5302TR2PBF

制造厂家名称：IR（International Rectifier）已被英飞凌INFINEON收购

描述：MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN

系列：HEXFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：32A（Ta），100A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.1 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：76nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4400pF @ 15V

功率 - 最大值：3.6W

安装类型：表面贴装

产品封装：8-PowerVDFN

供应商器件封装：PQFN（5x6）单芯片焊盘

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基本参数：

电子零件型号：IRFH5302TR2PBF

原始制造厂商：IR（国际整流器），已被英飞凌INFINEON收购

技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN

产品应用分类：单端场效应管

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