IR国际整流器推出全新逻辑电平 IR MOSFET™ 系列。它包括三个不同的电压等级，60 V、80 V 和 100 V。新器件采用 2 mm x 2 mm PQFN 封装，非常适合对外形尺寸要求严格的无线充电,适配器， 和电信应用程序。小封装尺寸可实现更高的功率密度和更高的效率。同时，它可以节省空间、减少零件数量并降低整体系统成本。

采用 PQFN 封装的新型 IR MOSFET 器件的 R DS(on)比竞争产品低 11% 至 40%。超低栅极电荷 (Q g ) 在不增加传导损耗的情况下降低了开关损耗。此外，输出电容 (C OSS ) 和反向恢复电荷 (Q rr ) 得到了优化，FOM g (R DS(on) x Q g/gd ) 得到了改善。这使得 IR MOSFET 器件能够在高达 6.78 MHz 的高开关频率下工作——这是谐振无线充电应用所要求的。逻辑电平栅极驱动器提供低栅极阈值电压 (V GS(th)) 这意味着 MOSFET 可以在 5 V 电压下直接由微控制器驱动。

可用性

IR MOSFET 系列现已提供 60 V 和 80 V 电压，100 V 器件正在开发中。