IR互补式功率 MOSFET 以高、低边配置将 N 沟道与 P 沟道 MOSFET 集成至单个封装中。...

IR为符合 AEC-Q101 标准的汽车应用提供范围广泛的功率 MOSFET，包括 N 沟道 MOSFET、P 沟道 MOSFET 和双沟道 MOSFET。...

IR P 沟道功率 MOSFET 型号丰富，适合包括电池保护、反极性保护、线性电池充电器、负载开关、DC-DC 转换器、车载充电器、电机控制及低压驱动应用在内的诸多工业应用。...

IR提供各种小信号 MOSFET。小信号产品非常适合存在空间限制的汽车和/或非汽车应用。...

IR是全球少数能够提供 n 沟道耗尽型 MOSFET 的半导体制造商之一。...

IR旗下的 600 V、650 V 及 800 V N 沟道功率 MOSFET 将助力打造更为紧凑且高性能的汽车应用。...

英飞凌和国际整流器的产品组合具有高度互补性。国际整流器在低功耗、节能方面的专业知识 IGBT和智能功率模块, 功率 MOSFET和 数字电源管理 IC将与英飞凌的功率器件和模块产品完美集成。...

采用 PQFN 封装的新型 IR MOSFET 器件的 R DS(on)比竞争产品低 11% 至 40%。超低栅极电荷 (Q g ) 在不增加传导损耗的情况下降低了开关损耗。...

IRHNJ9A7130 和 IRHNJ9A3130 由IR IR HiRel 业务部开发，具有完全的 TID（总电离剂量）抗辐射能力，分别为 100 kRads 和 300 kRads。...