国际整流器公司的MOSFET和IGBT门驱动器集成电路是在最简单的，最小的和最低成本的解决方案，以驱动MOSFET或IGBT上升至1200V的应用程序到12kW的，并可以节省超过30％的部件数量在一个小50％，PCB面积相比，离散光耦合器或变压器为基础的解决方案。 通过增加很少的外部元件，IR栅极驱动器IC提供完整的驱动程序，具有非常快的开关速度，设计的耐用性和低功耗。

栅极驱动器IC产生的电流和电压的需要打开和关闭MOSFET或IGBT从一个DSP，微控制器或其他逻辑设备的逻辑输出。 输入通常是一个3.3伏的逻辑电平信号。 所有IR栅极驱动器IC是CMOS兼容，而且大多数是TTL兼容。 输出电流高达2A。

栅极驱动器集成电路

本IR的优势 

死区时间低至500ns的允许频率高达100kHz

增加的速度范围和转矩控制电机驱动的

启用坚固耐用的栅极驱动器的设计

低功耗

相对于基于光电耦合器的解决方案：

减少了30％和50％更小的PCB

不需要辅助电源

快10倍的延迟匹配（±50ns的）

随着时间的推移不降低性能

更短的时间到信号与6μs的过电流为1.5μs）

降低EMI和电压尖峰

应用 

电机驱动器

照明镇流器

开关电源

汽车

等离子显示板

功能一览 

600V和1200V在一个单一的IC，MOSFET和IGBT栅极驱动器

多种配置

单偏高

半桥

3相逆变器驱动器

+2.0 /-2.0A输出源出/吸入电流可实现快速切换

综合保护与反馈功能

可选死区时间控制

耐负电压瞬变

50V/ns dV / dt抗扰度

可选软启动

使用低成本自举电源

CMOS和LSTTL输入兼容

栅极驱动器IC产品的选择

IR栅极驱动器IC简化设计 

中的高端位置的半桥式拓扑结构相或3相逆变器臂驱动MOSFET或IGBT的栅极电压参考源，而不是地提供了额外的挑战。 的源极电压是浮点高达最大总线电压或额定电压的MOSFET或IGBT，600V和用于电机驱动器，照明或SMPS应用。 IR栅极驱动器采用了专利的电平转换器的高电压应用的技术，提供1200V的行业评级。

这些IC集成了丰富的功能，简化了电路设计。 他们使用低成本自举电源，而光电耦合器为基础的电路通常需要一个辅助电源。 IR栅极驱动器IC提供可选的单输入或双输入的可编程死区时间控制的低边和高边驱动器以及3相驱动器，提供设计上的灵活性，并允许尽量减少交叉传导。 独特的3相驱动器可以驱动3相逆变器使用一个单一的IC。

IR栅极驱动器IC可用于开发坚固耐用的驱动器的设计

IR栅极驱动器集成电路是专门设计的电机驱动应用而设计的。 最新的软反过来限制电压和电流尖峰，并降低EMI。 此外，他们有50V/ns dV / dt抗扰度和耐负瞬态电压。 对于大多数司机欠电压锁定防止直通电流和设备故障，在没有任何额外的电路上电和掉电。 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，可将驱动器跨导降至最低。

噪声免疫力重要的是用于高侧的位置，其中有一个浮动电压和高噪声电平敏感的，尤其是在电机驱动应用。 噪声免疫力，确保MOSFET或IGBT不导通意外。 使用下拉施密特触发输入噪声免疫力。 获得独立的逻辑，在一些IC的接地引脚，如14引脚封装的600V IC的额外的噪声抑制。

IR栅极驱动器IC可用于快速开关速度

IR的栅极驱动IC具有更好的10倍的延迟匹配性能比基于光电耦合器解决方案。 延时匹配之间的低边和高边驱动器通常在±50ns的（低至±10ns的一些特色产品），允许完整的死区时间控制，更好的速度和转矩控制，电机驱动应用中。 快速开关也降低开关功率损耗，并允许利用最快的IGBT，目前市场上的更好的一个更宽的转速范围内的扭矩控制的全部好处。

应用说明： 

AN-978： HV浮动MOS栅极驱动器集成电路

AN-985：六输出600V MGDS简化三相电机驱动器

设计说明： 

DN500：电源逆变器的短路保护

DN501：精确的电流感应高电压电机驱动器

DN502：三相逆变器的短路保护

设计技巧： 

DT92-2：高电流缓冲器的控制IC 

DT04-4：使用单片高电压栅极驱动器